- Tunnelwiderstand
- mтуннельный резистор
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen. 2013.
Tunnelwiderstand
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Magnetischer Tunnelwiderstand — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (englisch tunnel magnetoresistance, TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten (engl. magnetic tunnel junction, MTJ) auftritt. Dabei… … Deutsch Wikipedia
Potenzialbarriere — Der Tunneleffekt ist der quantenmechanische Effekt, der Teilchen die Überwindung endlicher Potentialbarrieren erlaubt, welche nach den Vorstellungen der klassischen Physik für diese Teilchen unüberwindbar wären. Der Tunneleffekt ist unter anderem … Deutsch Wikipedia
Quantentunnel — Der Tunneleffekt ist der quantenmechanische Effekt, der Teilchen die Überwindung endlicher Potentialbarrieren erlaubt, welche nach den Vorstellungen der klassischen Physik für diese Teilchen unüberwindbar wären. Der Tunneleffekt ist unter anderem … Deutsch Wikipedia
Senkrechte Aufzeichnung — Perpendicular Recording (englisch für Senkrechtaufzeichnung), auch Perpendicular Magnetic Recording, PMR, ist eine Aufzeichnungstechnik bei magnetischen Datenträgern. Der Effekt wurde 1976 an der Universität Tōhoku in Japan nachgewiesen und 2005… … Deutsch Wikipedia
Tunneleffekt — Reflexion an und Durchtunneln einer Potentialbarriere durch ein Elektron Wellenpaket. Ein Teil des Wellenpaketes geht durch die Barriere hindurch, was nach der klassischen Physik nicht möglich wäre. Tunneleffekt ist in der Physik eine… … Deutsch Wikipedia
Vertikale Aufzeichnung — Perpendicular Recording (englisch für Senkrechtaufzeichnung), auch Perpendicular Magnetic Recording, PMR, ist eine Aufzeichnungstechnik bei magnetischen Datenträgern. Der Effekt wurde 1976 an der Universität Tōhoku in Japan nachgewiesen und 2005… … Deutsch Wikipedia
Kodierungsverfahren — Als Schreibverfahren bezeichnet man ein Verfahren zum Schreiben von Daten auf einem Datenträger. Logisches Schreibverfahren Ein logisches Schreibverfahren ist bei Datenträgern die Art der Kodierung, die vor dem physikalischen Schreiben auf den… … Deutsch Wikipedia
Logisches Schreibverfahren — Als Schreibverfahren bezeichnet man ein Verfahren zum Schreiben von Daten auf einem Datenträger. Logisches Schreibverfahren Ein logisches Schreibverfahren ist bei Datenträgern die Art der Kodierung, die vor dem physikalischen Schreiben auf den… … Deutsch Wikipedia
MRAM — Magneto resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird. Inhaltsverzeichnis 1 Funktionsprinzip 2 Geschichte 3 Ressourcen 4 Weblinks … Deutsch Wikipedia
MTJ — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… … Deutsch Wikipedia
Magnetic Tunnel Junction — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… … Deutsch Wikipedia
